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该文介绍了一种实用的隔离技术:Polysilicon Buffered LOCOS(PBL)隔离。与常规的LOCOS相比,PBL只是在氧化层(SiO〈,2〉)和氮化层(Si〈,3〉N〈,4〉)之间加了一缓冲层--多晶硅层。多晶缓冲层的引入,有效地减小了鸟嘴(BBL)。多次实验优化了各层的工艺参数。同时,对n〈’+〉-p结、P〈’+〉-n结的漏电以及栅氧质量进行了测量和分析。结果表明,由于PBL工艺的简单性以及可靠性,在深亚微米技术时代,PBL将会是最有效地隔离技术。