复合材料表面导电涂层的应力分析研究

来源 :中国真空学会2016学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qipiaolang
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  为研究复合材料表面导电涂层的应力分布及影响因素,本文采用有限元分析软件ANSYS 模拟了纤维增强的复合材料基底上镀铝膜和铜膜的应力分布,以及有过渡层导电涂层的应力变化趋势。得出增加过渡层后,形成的“导电涂层/过渡层/复合材料基底”结构具有较强的抗冷热冲击能力,理论上可以长时间承受冷热冲击(125℃~-180℃)的环境考验,满足空间冷热交变环境的使用要求。
其他文献
束功率密度分布测量是诊断束参数、束品质的主要手段。通用的束功率密度分布测量方法为:通过分布有一定数量热电偶的金属材质的平面或V 型靶,垂直于束流传输方向,放置在束流通道中。当束流注入时,横向拦截束流,这时诊断靶上的安装的热电偶受热升温,利用后端的测量系统扑捉诊断靶板上的热电偶温度分布变化,分析计算得到束功率密度分布。这种诊断靶结构简单,但由于其测量方法为拦截式,因此无法实现对束功率密度分布的实时测
采用空心阴极法产生高密度氦等离子体对纯W 进行辐照实验,并对氦辐照后钨表面形貌及其性能的变化进行了研究.辐照实验参数:辐照时间分别为0.5 h、2 h 以及3 h,氦离子注入能量约100 eV,束流密度约1022 m-2s-1,温度约1850 K.实验中分别使用OM(光学显微镜)、SEM(扫描电子显微镜)及XRD(X 射线衍射)手段对氦离子轰击后的纯钨表面进行分析表征,发现在经历一定剂量的氦离子(
托卡马克等离子体的启动通常是通过中心螺线管或极向场线圈放电在装置内真空室内产生环向电场来实现气体的电离.为了降低等离子体击穿时对托克马克装置伏秒数的消耗,使用微波加热等方式对气体进行预电离,进行各种壁处理降低内真空室内的杂质水平,从而降低对环向电场的要求并显著提高等离子体击穿的可靠性[1,2].在EAST 超导托克马克装置上研究了高频预电离(17 kHz,1600V)、ICRF 预电离(27MHz
在东方超环托卡马克中性束注入系统(简称EAS-NBI)中,为了形成高真空的工作环境利于束的生成和传输,利用差分式结构布局布置一套1.4e6L/s 抽速的低温冷凝泵组在主真空室内部,可获得10-6Pa 量级的极限真空.根据中性束注入系统的工作原理,其中0.6e6L/s 抽速的前低温冷凝屏为饼式结构类型布置在第三段真空室内部第二段偏转磁铁的后面,内开束流通道.在束传输过程中,由于粒子间的相互碰撞以及带
为了改善冷阴极电子源阵列电响应的均匀性,基于电子电路方法提出了一种非均匀性校正方案.首先,对冷阴极电子源阵列各个电子源单元的电响应特性进行测试、表征以及线性拟合;然后求得各个电子源单元的校正系数,再将该系数反馈给冷阴极电子源阵列的驱动控制系统;最后通过驱动控制系统实现不同电子源单元的差异性驱动,改善冷阴极电子源阵列电响应的均匀性.在对电子源单元电响应特性曲线进行拟合时,为了更加准确地表征出电子源单
Our home-made system is designed to combine the ultimate spatial resolution of STMwith the capabilities of optical detection and excitation.It has very compact design with only twochambers:the main ch
会议
石墨烯以及和石墨烯类似二维材料由于其在光电器件,光探测器,润滑,催化剂等方面的巨大应用潜力,在过去的几年里已经引起了全世界研究者的广泛关注[1]。在众多的二维材料之中,过渡金属二硫化物(TMDCs)的带隙结构具有层数依赖性,同时其物理特性更加容易进行调制,因此成为近来研究者关注的焦点[2]。
本文提出了一种新型的真空场发射晶体管(VFET),这种新型真空晶体管具有纳米尺度的真空沟道,以真空为载流子传输介质,器件工作时电子以弹道方式通过真空媒介,且工作电压低,功耗小,兼具了传统真空管和固态电子器件的优点。纳米尺度的间距接近电子在空气中的平均自由程,大大降低了电子与空气分子的碰撞几率,可以降低这种新型真空晶体管对真空度的要求,当真空沟道尺度达到几十纳米时,可以直接在大气压下工作。
We investigated the metalation reaction between Fe atom and two porphyrin derivatives,5,10,15,20-tetra(4-pyridyl)porphyrin(2HTPyP)and 5,10,15,20-tetraphenylporphyrin(2HTPP),on Au(111)substrate by a co
The superconducting critic temperature(Tc)of one unit cell(U.C.)FeSe grown on SrTiO3(001)is significantly enhanced,ranging from 50K to 100K,much higher than the TC in bulk FeSe(~9K)even in the electro