【摘 要】
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本文以近正角4H-SiC(0001)面为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同碳硅比下外延生长了4H-SiC薄膜。研究发现,碳硅比对外延层薄膜的结晶质量和表面形貌有
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所; 中国科学院大学;
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本文以近正角4H-SiC(0001)面为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同碳硅比下外延生长了4H-SiC薄膜。研究发现,碳硅比对外延层薄膜的结晶质量和表面形貌有显著的影响,当碳硅比小于2.5时,薄膜的结晶质量较差,表面粗糙度较大,表面还会出现较多的3C-SiC多型,同时还伴随有黑色硅液滴在薄膜表面上。随着碳硅比的增加,薄膜结晶质量较好,表面光滑,呈明显的镜面特征,粗糙度约为0.45nm。进一步增大碳硅比至3.5时,薄膜晶型变差,且会出现黑色石墨带。
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