Origin of the Room-Temperature Ferromagnetism in Co-doped ZnO

来源 :第五届届全国氧化锌学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ysx688
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  Room-temperature ferromagnetic semiconductors are required to manufacture proposed semiconductor spintronic devices.While Co-doped ZnO is an exemplar of this class of materials, its ferromagnetic properties often are poorly reproducible and its origins remain controversial.In this article, we unravel the mechanism of magnetism observed in Zn1-xCoxO thin films that were grown on A12O3 and ZnO substrates.
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