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本文通过国内外CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺技术的发展现状对比，研究了利用CMOS电路进行太赫兹源与太赫兹探测的硬件设备制作方案.基于CMOS技术实现的太赫兹硬件设备可以实现室温、超小型的应用，频率可覆盖140GHz-1THz.辐射功率达μW量级。这为我国开展可实际应用的太赫兹硬件设备提供了重要的研究方向。