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高流强的中子辐照会在结构材料内部产生严重的级联离位损伤,使得材料性能下降,而辐照缺陷是聚变堆材料性能下降的根本原因。为了研究结构材料在高辐照剂量下的损伤机理,本文针对中国低活化马氏体钢——CLAM(China LowActivation Martensitic),通过使用高能电子辐照来模拟中子对材料造成的高剂量辐照损伤,并对微观结构进行原位观察,观察了辐照下产生的位错环随辐照剂量的演化过程,并分析了位错环浓度和尺寸随辐照剂量和温度的变化规律。