【摘 要】
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为了改善Si基LED的电流扩展问题,以及降低其工作电压,本论文阐述了一种工艺简单的新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED),利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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为了改善Si基LED的电流扩展问题,以及降低其工作电压,本论文阐述了一种工艺简单的新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED),利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通,形成第一n电极,在减薄的硅衬底背面蒸镀背电极用于形成第二n电极。并且通过改变探针的测试位置,在同一芯片上进行了V-LED与横向导电的LED结构(L-LED)的比较,V-LED展现出了良好的性能,其串联电阻相对降低了10％,在大电流注入的情况下,相对光输出强度也有了提高。
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