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ZnSe晶体是典型的宽禁带Ⅱ－Ⅵ族直接带隙半导体,室温下的禁带宽度为2.7eV.随着非线性四波混频、Z 扫描、泵浦-探测等实验表征技术的出现和成熟,ZnSe 的导带和价带电子特性逐渐为人们所了解,其在光限幅、全光开关、光通信领域的潜在应用也受到了人们的广泛关注.
双光子激发ZnSe自由载流子超快动力学研究
【摘 要】
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ZnSe晶体是典型的宽禁带Ⅱ－Ⅵ族直接带隙半导体,室温下的禁带宽度为2.7eV.随着非线性四波混频、Z 扫描、泵浦-探测等实验表征技术的出现和成熟,ZnSe 的导带和价带电子特性逐渐为人们所了解,其在光限幅、全光开关、光通信领域的潜在应用也受到了人们的广泛关注.
【机 构】
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中南大学物理与电子学院,超微结构与超快过程湖南省重点实验室,湖南 长沙410083 东南大学先进光
【出 处】
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中国物理学会2015年秋季会议
【发表日期】
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2015年7期
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