【摘 要】
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本文采用导纳矩阵的法-等效界面模型和多层光学薄膜计算软件,模拟设计晶体硅太阳电池表面三层氮化硅减反射膜,然后结合实际生产电池片的减反射效果修正模拟参数,在计算机模拟和实验间找到平衡点.在设计时尽量使有最小反射率的光波长接近电池材料的光谱响应峰值,同时也要兼顾太阳光的光谱特性力争实现效益的最大化.初步的计算模拟给出三层氮化硅减反射膜的最佳厚度和相应折射率.计算出中心波长在630~650nm范围氮化硅
【机 构】
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内蒙古大学物理科学与技术学院;内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室,呼和浩特010021 内蒙古日
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本文采用导纳矩阵的法-等效界面模型和多层光学薄膜计算软件,模拟设计晶体硅太阳电池表面三层氮化硅减反射膜,然后结合实际生产电池片的减反射效果修正模拟参数,在计算机模拟和实验间找到平衡点.在设计时尽量使有最小反射率的光波长接近电池材料的光谱响应峰值,同时也要兼顾太阳光的光谱特性力争实现效益的最大化.初步的计算模拟给出三层氮化硅减反射膜的最佳厚度和相应折射率.计算出中心波长在630~650nm范围氮化硅等效厚度在85~90nm左右,符合实际生产所要求.模拟的三层氮化硅减反膜相应的多晶电池的最大电流、电压和功率分别是:0.356A,0.6131V,4.050W;短路电流有明显提高,开路电压和输出功率有些偏低,结果具有一定的参考价值.相应的冶金硅电池三层氮化硅减反射膜的实验工作也即将开始.
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