【摘 要】
：
本文采用导纳矩阵的法-等效界面模型和多层光学薄膜计算软件,模拟设计晶体硅太阳电池表面三层氮化硅减反射膜,然后结合实际生产电池片的减反射效果修正模拟参数,在计算机模拟和实验间找到平衡点.在设计时尽量使有最小反射率的光波长接近电池材料的光谱响应峰值,同时也要兼顾太阳光的光谱特性力争实现效益的最大化.初步的计算模拟给出三层氮化硅减反射膜的最佳厚度和相应折射率.计算出中心波长在630～650nm范围氮化硅
【机 构】
：
内蒙古大学物理科学与技术学院;内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室,呼和浩特010021 内蒙古日
论文部分内容阅读
本文采用导纳矩阵的法-等效界面模型和多层光学薄膜计算软件,模拟设计晶体硅太阳电池表面三层氮化硅减反射膜,然后结合实际生产电池片的减反射效果修正模拟参数,在计算机模拟和实验间找到平衡点.在设计时尽量使有最小反射率的光波长接近电池材料的光谱响应峰值,同时也要兼顾太阳光的光谱特性力争实现效益的最大化.初步的计算模拟给出三层氮化硅减反射膜的最佳厚度和相应折射率.计算出中心波长在630～650nm范围氮化硅等效厚度在85～90nm左右,符合实际生产所要求.模拟的三层氮化硅减反膜相应的多晶电池的最大电流、电压和功率分别是:0.356A,0.6131V,4.050W;短路电流有明显提高,开路电压和输出功率有些偏低,结果具有一定的参考价值.相应的冶金硅电池三层氮化硅减反射膜的实验工作也即将开始.
其他文献
能效标识一种信息标签,表示产品能源效率等级,能源消耗量等指标,其划分依据为相应的能效标准.能效标识已经成为常见的产品标签之一,越来越频繁的出现在日常生活中.能效标识制度能以较少的投入,影响用户在消费过程中选择节能产品,从而促进资源节约和环境保护.我国在2004年8月发布《能源效率标识管理办法》,正式建立了我国的能效标识制度.2009年,家用太阳能热水系统开始实施能效标识,标志着能效标识覆盖的产品范
采用三靶共溅射法制备出了Cu-In-A1预制层,并经硫硒化热处理得到了薄膜太阳电池吸收层Cu(InAl)(SSe)2(CIASSe).研究了三靶共溅射功率、硫硒比例、热处理温度及时间对CIASSe薄膜性能的影响,并对样品进行SEM、XRD、紫外-可见分光光度计分析等的表征,结果结果显示:随着热处理温度的适当升高,杂相逐渐减少,晶粒沿着(112)晶向择优生长,在500℃热处理20min时已经形成了黄
用inline方式全部近空间升华(CSS,close-space sumlimation)方法制备n-CdS/p-CdTe取得了～11％的转换效率(AMl.5).把其中n-CdS层采用磁控溅射(SP)方法取得了～10％的转换效率(AM1.5).基于其电流密度-电压(J-V)曲线和外量子效率(EQE)曲线进行分析,分析了其拟合关键参数对于电池性能的影响程度,并从理论分析上把目前器件性能参数与当今前沿
本文采用热注入法制备了不同Ge元素掺杂比例的CZTGSe纳米晶,纳米晶的尺寸在1020 nm之间.采用X射线衍射仪(XRD、投射电子显微镜(TEM)及UV-Vis光谱分析仪对纳米晶的结构、形貌、成分及光学性能等进行了分析研究.发现Ge元素掺杂量为0.7时,CZTGSe的禁带宽度为1.52 eV,十分接近薄膜太阳能电池材料理想的禁带宽度.
In2Se3,Ga2Se3和Cu2Se等二元硒化物是制备CIGS薄膜太阳电池重要的前驱物.硒化物的组成和晶向受到Se蒸发速率的影响.在In、Cu、Ga和Se四种元素中,Se的蒸发速率对蒸发温度最敏感,Se舟蒸发温度增加20℃,Se的蒸汽压就会增加一倍.本文发现在Na参与In-Se二元化合物反应,并提高了Se的利用率,Se蒸发温度在220℃时是个安全温度,既能够保证贫Se相的产生,又能够避免反蒸而降
直接溅射铜铟镓硒(CIGS)陶瓷靶材制备CIGS光伏电池的方法得到越来越多地关注,该工艺具有二步法所具有的大面积均匀性高,适于工业化生产的特点.相比二步法,也具有成分控制精确,薄膜成分分布均匀,表面平整度高等优势.因此直接陶瓷靶材的方法是非常具备商品化前景的CIGS电池制备方法.该方法的核心是高质量CIGS陶瓷靶材的制备,本文使用热压烧结的工艺方法,成功制备高纯度CIGS陶瓷靶材.使用Cu2Se、
本文采用PECVD制备前驱体硅基薄膜,再通过固相晶化法,在普通浮法玻璃上制备得到晶化率较高的多晶硅薄膜.文章中结合微区拉曼测试与光学测试,分析了薄膜在退火过程中晶化率及光学带隙的变化情况.另外,退火处理具有不同晶化率的前驱体硅基薄膜,进一步研究初始结晶成分在固相晶化过程中的作用,探讨了完全非晶和具有一定初始晶化率的两种前驱体硅基薄膜,退火过程中的不同晶化机理.认为固相晶化具有一定结晶成分的硅基薄膜
选择性发射极技术有效地解决了太阳能电池表面轻掺杂以避免“死层”和重掺杂来获得良好欧姆接触的矛盾,被公认为是一种有效提高电池光电性能的技术.本文报道了一种简单、低成本实现选择性发射极太阳电池的技术——磷墨技术.大规模生产中,在B级硅片上实现了平均效率为19.01％的选择性发射极电池,其中最佳效率达19.27％,而对比组(均匀结电池)的平均效率仅为18.56％.而且令人兴奋的是,这种选择性发射极电池的
作为多晶硅材料中最重要的缺陷之一,晶界可以向硅禁带中引入深能级从而降低硅片性能.本文利用特殊的(110)/(100)键合样品,研究了氢钝化对晶界电学性能的影响.采用有效载流子寿命表征和电流/电容-电压特性曲线的方法,研究氢钝化对晶界能级电学特性的影响,得到了氢钝化前后能级所处的位置以及所对应的载流子捕获截面.在氢钝化后,硅片的有效载流子寿命提高,晶界引入的能级位置变浅,晶界态密度和载流子捕获界面也
在有籽晶铸锭过程中,保护籽晶在硅料熔化阶段不被完全熔化是实现这一铸锭技术的关键.本文运用计算机模拟技术对改进型坩埚护板进行模拟研究,分析其在铸锭过程中对籽晶熔化界面及晶体生长界面的影响,并结合实际铸锭进行验证.结果表明,该改进型护板能有效提高硅料熔化后期坩埚底部的温度梯度,从而达到保护籽晶的目的,硅锭整体剩余籽晶高度差从改进前的10mm降低到改进后的2mm;同时,晶体生长界面较改进前也得到一定优化