【摘 要】
:
本文从新型芯片结构设计以及封装工艺两方面对如何提高可见光功率型LED器件的取光效率和光电转换效率的问题进行了详细讨论.
【机 构】
:
信息产业部电子第十三研究所 广东省佛山光电器材公司
【出 处】
:
第八届全国LED产业研讨与学术会议
论文部分内容阅读
本文从新型芯片结构设计以及封装工艺两方面对如何提高可见光功率型LED器件的取光效率和光电转换效率的问题进行了详细讨论.
其他文献
本文分析了LED输入电压随温度变化的物理机理,建立了恒流驱动下,输入电压随温度的变化系数测试系统.对不同材料、不同发射波长的LED电压随温度变化系数进行了系统的实验研究.编写了最小二乘法程序,对实验数据进行了拟合,得到了不同发射波长的AlGaInP、InGaN材料LED的电压随温度变化系数,对超高亮度LED、功率型LED器件及系统的热工参数测量积累了的重要数据.
从原理上讨论了高亮度LED测试不确定性大的问题,介绍了CIE标准测试条件A和B,设计了平均LED强度测试仪,对今后的工作提出了自己的意见.
针对LED显示屏单元板驱动电路采用通孔器件存在的一些问题,提出了采用SMD器件的解决方法,对两种封装形式的器件作了几方面的对比,并介绍了SMD器件在LED显示屏单元板中的具体应用.
影响发光二极管(LED)发光颜色的光谱参数有:峰值波长、带宽、主波长和质心波长,峰值波长和带宽可用分光光度法进行测量,精度达1nm,反映了LED发光的物理特性.主波长是在CIE色品图上,由该LED的色品坐标相对于等能白而得到,符合人眼对各种显示有LED发光的目视感觉,精度可达1nm.质心波长是LED的几何对称波长.用质心波长来估算LED主波长是一种方便简捷的方法.误差小于3nm.
介绍了双基色LED电子显示屏的原理和结构,从性能价格出发,设计和分析了显示屏技术和结构,利用直接扫描、模拟传送方式可以降低成本,提高性能.
采用MOCVD工艺生产AlGaInP四元系超高亮LED外延材料,成功解决了外延片的均匀性、复重性、稳定性、成品率等影响批量生产的技术关键,实现稳定连续生产.
本文在实验的基础上,总结了电化学C-V的一些测试经验,提出了一种适用于测量AlGaInP LED外延片中载流子浓度纵向分布的电解液,获得了速度快、重复性好、数据准确可靠的测试效果.
随着氮化物外延生长技术的进步、器材工艺研究的深入,白光LED在光效与光电性能方面不断改善,应用领域正逐步拓展.长期工作引起光衰、器件寿命与可靠性问题日益突出.本文着重探讨了影响其可靠性的诸重要因素,提出了在照明上应用的亟待解决的办法.
色温是照明领域的一个重要技术指标,本文利用荧光粉转换的方法制备了不同色温的白光LED.本文主要采用荧光粉转换的方法制备白光LED,以蓝色LED的蓝色(470nm)发光为基础光源,用蓝色LED的发光激发荧光粉,蓝色发光二极管发出的光部分透过荧光粉发射出来,部分激发荧光粉,使荧光粉发出峰值为570nm的黄绿色光,透出的蓝色发光与荧光粉发出的黄绿色光组成白光.
本论文中采用一不吸光的透明粘接层来黏接一具吸光GaAs基板的AlGaInP LED与一透明基板Sapphire,接着将吸光的GaAs基板除去,来形成一具透明基板AlGaInP LED,由于所使用的胶质粘着技术是在低温下进行,不至破坏原LED磊晶结构而影响其特性,同时所使用的透明基板Sapphire具备相当好的穿透性,因此大幅提升LED的发光效率.我们所做成的GBAlGaInPLED比传统GaAs吸