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研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明：MOS栅介质中引入一定的N后，能提高介质的电荷击穿强度，电荷击穿强度受N<,2>O退火温度的制约；N对薄栅介质击穿电场强度影响较小，击穿电场受高场栅偏压极性的制约。用一定模型解释了实验结果。
薄栅氮化物的击穿特性
【摘 要】
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研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明：MOS栅介质中引入一定的N后，能提高介质的电荷击穿强度，电荷击穿强度受NO退火温度的制约；N对薄栅介质击穿电场强度影
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
【出 处】
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
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1999年期
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