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会议论文
薄栅氮化物的击穿特性
薄栅氮化物的击穿特性
来源 :第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:djdyaqb
【摘 要】
:
研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明:MOS栅介质中引入一定的N后,能提高介质的电荷击穿强度,电荷击穿强度受NO退火温度的制约;N对薄栅介质击穿电场强度影
【作 者】
:
张国强
陆妩
艾尔肯
余学锋
【机 构】
:
中国科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
【出 处】
:
第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
氮化物
击穿电场
击穿强度
栅介质
电荷
制约
退火温度
强度影响
击穿特性
栅偏压
介质膜
实验
模型
解释
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研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明:MOS栅介质中引入一定的N后,能提高介质的电荷击穿强度,电荷击穿强度受N<,2>O退火温度的制约;N对薄栅介质击穿电场强度影响较小,击穿电场受高场栅偏压极性的制约。用一定模型解释了实验结果。
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