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针对光纤量子通信用?????m单光子源的需要,本文提出了一种可用单片式(monolithic)工艺制作的In P/In Ga As P微柱型谐振腔设计方案。由于在In P层中引入了空气孔径,及中心腔层采用膜厚渐变(taper)的多段Bragg反射结构,这种谐振腔的直径可以小到亚微米,其基谐模式在1.55?m波段的品质因子可以达到???以上。应用这种谐振腔,将使高效的、光子不可分辨的、乃至可量子调控的1.55?m单光子源的实现变得容易和低价。