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该文研究了用单层多晶硅发射器件工艺制备的掺磷多晶硅发射极RCA器件。掺磷多晶硅发射极RCA器件容易得到较高电流增益,且发射极串联电阻很小,为20.5Ω。与采用新的HNO〈,3〉界面氧化方法制备的掺磷多晶硅发射极HNO〈,3〉器件、掺砷多晶硅发射极RCA器件、HF器件和金属接触发射极器件(MET)比较,掺磷多晶硅发射极RCA器件电流增益的温度特性最优,在218K ̄398K温度范围内,其低温下降率为28.4℅,高温上升率为18.7℅;在液氮温度下电流增益为31.2,只下降到室温下的23.3℅,能够正常工作。