材料结构对AlGaN基分布布拉格反射镜特性的影响

来源 :第二届全国先进焦平面技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ztcld2003
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本文采用低压MOCVD技术生长了AlGaN/GaN、AlGaN/AlN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测量手段对材料的物理特性进行了分析表征。结果表明,材料结构对DBR的性能影响很大。通过材料的优化生长,获得了反射率高达93.5%、中心波长和发射率都接近理论值的AlGaN/AlN DBR材料。
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