大尺寸Ti3AlC2陶瓷的制备及其性能

来源 :第十七届全国高技术陶瓷学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pz199
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采用燃烧合成结合准热等静压技术(SHS/PHIP)成功制备了大尺寸Ti3AlC2块体陶瓷材料,确定了用自蔓延准热等静压(SHS/PHIP)法制备大尺寸Ti3AlC2块体陶瓷材料的最佳原料配比.利用X射线衍射(xRD)、扫描电镜(SEM)手段对产物进行了分析,XRD结果表明反应产物中只含有Ti3AlC2陶瓷相,SEM分析发现制备的产物为层片状组织结构.而且由于层状显微结构的存在,使得该材料的性能比较好,其抗弯曲强度、断裂韧性和抗压缩强度分别为330.8 MPa、5.7MPa·m1/2和823 MPa.
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随着信息与自动化技术的发展,触摸屏由于可以与显示设备集成,以及更直观的人机交互方式,正不断的深入人们的日常生活中.压电触摸屏基于压电材料的压电效应,相对于传统电容、电阻触摸屏有诸多优势.本实验首次设计并制作了一款基于PVDF压电膜的压电触摸屏,通过对整个压电触摸屏系统的设计与制作以及外部测试环境的搭建,实现了触摸屏的基本功能.此种压电触摸屏的最佳精度可以达到0.5 mm,对于50 mm×50 mm
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BaTiSi2O7具有独特的TiO5四方单锥,有利于抑制离子极化弛豫引起的介电损耗.采用传统氧化物混合法制备了BaTiSi2O7陶瓷.X射线衍射和Raman散射光谱分析表明,该陶瓷具有纯BaTiSi2O7相,其结构中含有TiO5四方单锥结构.同时,高频电学分析表明,随着烧结温度的增加,其相对介电常数在0.1 kHz~1 GHz频率范围内为8~10,介电损耗在10-4左右,有望作为低损耗微波介质材料