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减小磁性材料的厚度是磁存储介质和自旋电子器件领域共同的趋势.当材料很薄时,弱磁场就可以改变磁性薄膜的磁性.因此,我们希望制造出在室温下具有铁磁性的二维材料,从而在场效应晶体管、逻辑电路、稀磁半导体等方面拓展更为宽广的应用前景.本工作利用第一性原理的计算方法,研究了二维铁磁性Ru/MoS2异质结.计算结果表明,Ru原子在MoS2上的稳定位置为Mo原子的顶位,结合能为3.28 eV/Ru,迁移势垒达到1.07 eV.