【摘 要】
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利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形AlGaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性，发现由AlGaN/AlN/GaN界面极化电荷
【机 构】
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School of Physics, Shandong University Jinan, 250100, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形AlGaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性，发现由AlGaN/AlN/GaN界面极化电荷密度变化引起的极化库仑场散射与欧姆接触工艺息息相关，而且边欧姆接触大大降低了AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中的极化库仑场散射。
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