低温砷化镓的外延Lift-off研究

来源 :第十届全国光电技术与系统学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cmm870811
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本文报道了用lift-off技术将外延生长的低温砷化镓从生长衬底上揭下,并借助于范德华力将LT-GaAs外延膜贴附在新衬底上的方法研究.文中针对500nm厚的LT-GaAs外延薄膜的揭起和贴附,讨论了低温砷化镓的最佳lift-off尺寸和提高范德华力贴附质量的实验技术.文中还给出了利用所得到的lift-off后的LT-GaAs制备的共平面条形结构光导开关的时间特性,上升时间小于1.5ps,FWHM小于2ps.
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