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本文基于微电子技术开发研制出了400V/500A的大功率晶体管又名巨型晶体管（Giant Transistor,简称GTR）。通过电参数测试：VceR≥400V,Vebo≥8V,在Ib=10A条件下测试,Ic最大达到173A。
基于微电子技术的高压大功率NPN开关晶体管技术研究
【摘 要】
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本文基于微电子技术开发研制出了400V/500A的大功率晶体管又名巨型晶体管（Giant Transistor,简称GTR）。通过电参数测试：VceR≥400V,Vebo≥8V,在Ib=10A条件下测试,Ic最大达到173A
【机 构】
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清华大学电力电子厂
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会
【发表日期】
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2010年期
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