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本文介绍了制备X射线深度曝光掩膜的新方法.该方法采用Microlithography公司的SU8胶(厚约20微米),只需一次紫外曝光/电镀就得到所需掩模.该方法无需昂贵的电子束扫描装置等,也无需同步辐射翻刻,具有工艺简单、加工周期短和图形失真小的特点.该方法适用于线条尺寸10微米或更大的图形,对于小于5微米的图形,使用必须审慎.