【摘 要】
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为了建立ZnO压敏陶瓷缺陷结构与电性能之间的关联,本文主要研究了不同添加剂和脉冲电流冲击老化对ZnO压敏陶瓷缺陷结构的影响.在室温下对试样的J-E特性进行了测试,并计算了其击穿场强和非线性系数.通过电子扫描显微镜观测了试样的显微结构.通过介电谱仪对ZnO压敏陶瓷的介电松弛过程进行分析,发现在低温范围内存在着两个陷阱能级为0.24eV和0.36eV的本征锌填隙和氧空位缺陷,并且该本征缺陷能级几乎不受
【机 构】
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重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室,重庆 400044 西安交通大学电力设备电气绝
【出 处】
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中国电机工程学会第13届青年学术会议
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为了建立ZnO压敏陶瓷缺陷结构与电性能之间的关联,本文主要研究了不同添加剂和脉冲电流冲击老化对ZnO压敏陶瓷缺陷结构的影响.在室温下对试样的J-E特性进行了测试,并计算了其击穿场强和非线性系数.通过电子扫描显微镜观测了试样的显微结构.通过介电谱仪对ZnO压敏陶瓷的介电松弛过程进行分析,发现在低温范围内存在着两个陷阱能级为0.24eV和0.36eV的本征锌填隙和氧空位缺陷,并且该本征缺陷能级几乎不受添加剂和冲击老化的影响.在高温范围内,发现了与晶间相和晶界面电子陷阱相关的界面缺陷,认为MnCO3的添加是引入晶间相缺陷和抑制晶粒生长的关键因素.在脉冲电流冲击老化的过程中,晶界面缺陷能级和非线性系数有明显的下降,因此,认为ZnO压敏陶瓷的非线性和稳定性主要取决于晶界面缺陷.
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