【摘 要】
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随着器件工艺尺寸的不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于如何降低单粒子效应的研究显得越来越重要.绝缘体上硅(sOI)技术一直以来被用于集成电路的单粒子加固
【机 构】
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国防科技大学计算机学院,湖南长沙410073
【出 处】
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全国抗恶劣环境计算机第二十三届学术年会
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随着器件工艺尺寸的不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于如何降低单粒子效应的研究显得越来越重要.绝缘体上硅(sOI)技术一直以来被用于集成电路的单粒子加固,本文利用软件对SOI PMOSFET单粒子瞬态进行了模拟,重点研究了LET、绝缘层厚度、顶层硅膜厚度,以及STI深度对SET脉冲宽度的影响,并对其模拟结果以及影响机理进行了分析和阐述.
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