电子入射角对束流传输系数和能量沉积的影响

来源 :'2001全国荷电粒子源粒子束学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:China_BILLGATES
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强流脉冲电子束在材料中的束流传输系数和能量沉积受入射角的影响很大,利用罗可夫斯基线圈测量束流传输系数可以确定电子束的入射角,从而确定不同入射角的电子束在材料中的能量沉积.本文利用数值方法研究了不同能量(0.4~1.4MeV)的电子束以不同的入射角穿透不同厚度碳靶的束流传输系数和能量沉积.计算结果表明,随着电子束入射角的增大,束流的传输系数减小,而较小入射角(接近垂直入射角)的电子在靶材料中穿透深度更大;能量为1.0~1.4MeV的电子束当入射角在60~70°时在碳靶中沉积的能量最大.
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