氟离子注入实现增强型AlGaN/GaN HEMT器件的研究

来源 :第十四届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yayanorman
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本文直接利用离子注入机时AlGaN/GaN HEMT器件的栅下进行F离子的注入,成功实现了耗尽型阈值电压从-2.6v移动到Vth=1.9v的增强型HEMT器件,并且研究了注入剂量对阈值电压和峰值跨导的影响,研究发现随着注入剂量的不断增加,阈值电压不断的正向移动,但并不呈现线性关系,同时漏电流不断下降,并且在退火后电流无法恢复.
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