纳米冷阴极材料应用前景广阔,备受人们关注.[1] AlN 具有较小的电子亲和势,其一维纳米材料具有较好的场发射性能.近年来,我们在AlN 纳米结构制备与性能表征等方面开展了比较系统深入的研究,通过对AlN 纳米线原位生长过程的定量化表征,揭示了纳米线气-液-固生长模型的相平衡控制机理,[1] 成功制得了AlN 纳米管[2]、锥[3]、线[4]、空心球[5]、核壳复合结构[6] 等纳米新材料,并通过纳米锥的图案化生长优化其场发射性能.[7] 然而如何在较低电场下获得较高的电流密度,同时具有较好的发射稳定性,仍然是急待解决的问题.因此,期望通过构建CsI-AlN 低功函的纳米复合材料,在获得较低的开启电场的同时,也能提高其场发射稳定性.本文通过简单的两步法合成了CsI-AlN 低功函的纳米复合材料.第一步：采用化学气相沉积法,温度为700℃ 时,在Si (100)基片上通过AlCl3 和 NH3 反应生长了AlN 纳米锥阵列；第二步：在一定的真空度下,将CsI 粉末通过热蒸发沉积到已制备好的AlN 纳米锥上,形成CsI-AlN 纳米复合材料.用XRD、SEM、HRTEM 和XPS 等手段表征产物,并研究了产物的场发射性能.结果表明,形成CsI-AlN 复合结构后,其场发射性能得到了有效提高；对于不同蒸镀时间的产物,其中以热蒸发6min 的CsI-AlN 纳米复合材料提高幅度最大,并且发射时的稳定性也得到了较大的提高,其稳定性：在电流密度为0.1 mA/cm2,发射时间为1h,波动性为±10％.