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5. Type Ⅰ quantum well Laser Diodes for Gas Sensing Emitting at 3.3μm at Room Temperature

Type Ⅰ quantum well Laser Diodes for Gas Sensing Emitting at 3.3μm at Room Temperature

来源 :第十届中红外光电子材料与器件国际会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：czh19890220

【作 者】

：

S.Belahsene L.Naehle M.v.Edlinger M.Fischer J.Koeth G.Boissier P.Grech G.Narcy Y.Rouillard 

【机 构】

：

Institut d'Electronique du Sud,UMR 5214 CNRS,Université Montpellier 2,Montpellier 34095,France

【出 处】

：

第十届中红外光电子材料与器件国际会议

【发表日期】

：

2010年4期

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