【摘 要】
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从界面与位错的相互作用着手,研究纳米结构材料增强机理,建立细观尺度下的界面剪切力学模型.建立模型来模拟上述过程.模型中的两个方程分别对应于:(1)界面剪切强度条件,即要求界面上任一点的应力要小于界面强度;(2)界面位错平衡条件,即要求界面位错保持静平衡.结合分子模拟的结果,采用双端位错堆积模型来引入界面位错,即连续剪切模型.在此基础上发展了另外两种模型,分别为简化连续剪切模型和单位错剪切模型.
【机 构】
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上海大学固体力学实验中心,上海200444 扬州大学水利科学与工程学院,扬州225009
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从界面与位错的相互作用着手,研究纳米结构材料增强机理,建立细观尺度下的界面剪切力学模型.建立模型来模拟上述过程.模型中的两个方程分别对应于:(1)界面剪切强度条件,即要求界面上任一点的应力要小于界面强度;(2)界面位错平衡条件,即要求界面位错保持静平衡.结合分子模拟的结果,采用双端位错堆积模型来引入界面位错,即连续剪切模型.在此基础上发展了另外两种模型,分别为简化连续剪切模型和单位错剪切模型.
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