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会议论文
4-9nm n-MOSFETs热载流子退化及寿命预测
4-9nm n-MOSFETs热载流子退化及寿命预测
来源 :第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:anying_xu
【摘 要】
:
本文对4-9nm n-MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验,在饱和漏电流退化特性的基础上提出了适用不同氧化层厚度器件的寿命预测模型,并进行了寿命预测.
【作 者】
:
穆甫臣
许铭真
谭长华
段小蓉
【机 构】
:
北京大学微电子所
【出 处】
:
第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
:
2001年期
【关键词】
:
沟道热载流子应力
退化特性
寿命预测模型
加速寿命实验
氧化层厚度
饱和漏电流
器件
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本文对4-9nm n-MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验,在饱和漏电流退化特性的基础上提出了适用不同氧化层厚度器件的寿命预测模型,并进行了寿命预测.
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