STI隔离的130nm SOI CMOS器件不同沟道长度的总剂量效应

来源 :2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：w232010

【摘要】

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在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄生侧壁晶体管会因浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷沟道反型,产生大的关态漏电流.由于SOI器件绝缘埋层的存在,同样会存在陷阱正电荷,对器件特性产生影响.研究表明,沟道越短,泄漏电流越大,辐照会增强短沟道效应.

【作者】

：

张梦映胡志远宁冰旭宋雷戴丽华刘小年张正选

【机构】

：

信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050;中国科学院研究生院,北京100039

【出处】

：

2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

【发表日期】

：

2016年4期

【关键词】

：

CMOS器件总剂量效应短沟道效应绝缘埋层浅沟槽隔离沟道长度

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