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利用离子束增强沉积(IBED)技术成功地合成了大面积均匀AlN薄膜,分析表明薄膜中N/Al比为0.402:1,膜厚约250nm,表面电阻高于10<8>Ω,绝缘性能良好可代替SiO<,2>作为SOI材料的绝缘埋层.
离子束增强沉积法合成AlN薄膜
【摘 要】
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利用离子束增强沉积(IBED)技术成功地合成了大面积均匀AlN薄膜,分析表明薄膜中N/Al比为0.402:1,膜厚约250nm,表面电阻高于10Ω,绝缘性能良好可代替SiO作为SOI材料的绝缘埋层.
【机 构】
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同济大学材料学院微电子所(上海),中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室(上海) 中国科学
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年6期
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