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用量子阱混杂技术的无杂质空位诱导量子阱无序法,对脊型波导GaAs/AlGaAs双量子阱半导体激光器窗口非吸收区处理方法进行了改进.相对SiO2而言,Si对Ga原子有更好的溶解度,更容易产生空位点缺陷,获得量子阱混杂.从而,实验中利用PECVD方法,对激光器芯片表面先淀积一层150 nm厚的SiO2薄膜,随后再淀积一层100 nm厚的薄膜Si,利用快速热退火方法使激光器腔面附近产生量子阱混杂.用光荧光检测PL谱峰值蓝移较常用的半导体激光器窗口非吸收区处理方法(只在芯片表面淀积一层150 nm厚的SiO2薄膜,利用快速热退火方法使激光器腔面附近产生量子阱混杂)获得的PL谱峰值蓝移增加了4 mev.PL谱峰值蓝移的增加,激光器腔面附近的光吸收减小,提高了激光器的光功率密度损伤阈值.