Antimony selenide(Sb2Se3)has attracted increasing attention due to its low-cost,non-toxic,earth-abundant components and similar properties with CdTe.
Sb2Se3 是一种直接跃迁的窄带隙p 型半导体材料,由于其很好的环境稳定性、高温差电动势和优异的光伏效应等性质,在光电器件、光伏器件和电化学器件有巨大的应用潜力。
金属卤化物钙钛矿材料在太阳电池等光电器件应用方面取得巨大成功,短短十年便获得光电转化效率达25.2%的钙钛矿太阳电池.然而钙钛矿太阳电池性能的进一步提升依赖于对其工作原理的深入探讨,比如,电荷输运是影响钙钛矿材料和光电器件性能的关键步骤,研究钙钛矿材料在纳米尺度下电荷输运的独特尺寸效应对钙钛矿光电器件的设计和开发具有重要的指导意义.然而,如何在埃尺度乃至单个晶胞层面上表征和研究钙钛矿材料的电荷输运
相对于一元和二元半导体的研究,人们对Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4 型多元化合物半导体的认识还非常有限,目前仅有以Cu2ZnSnS4(CZTS)为代表的少数化合物得到较为系统的研究,如I2-ZnSnS4(I=Ag,Li,Na),Cu2-Ⅱ-SnS4(Ⅱ=Cd,Ca,Mg,Ba,Fe),Cu2Zn-Ⅵ-S4(Ⅵ=Ge,Si),Cu2ZnSn-Ⅵ4(Ⅵ=S,Se)等,这些化合物都是直接带隙半导体,已在光伏、热电、
三元阳离子和二元阴离子混合的(FA1-x-yMAxCsy)PbI3-zBrz 钙钛矿中,三种离子半径相近的阳离子和两种卤素阴离子共存,不仅可以调节容忍因子、抑制α-FAPbI3 相变、大大的提升了其本征稳定性;同时又可以抑制离子迁移和电荷复合,提升载流子提取效率和传输。
黄铁矿(FeS2)材料具有稳定好、无毒、成本低、材料来源广、光学带隙合适和吸光能力强等特点,但是目前制备的黄铁矿太阳能电池的效率与理论值相差还很大,对此研究者们认为有黄铁矿薄膜不纯、存在界面缺陷等多种原因[1,2]。
近年来,有机-无机杂化钙钛矿光敏材料有望推动下一代溶液法制备、高响应度、快速、大线性动态范围光电探测器的发展。特别地,钙钛矿型光敏电阻具有低成本制备和易集成等特性,在便携式、大规模集成器件等领域越来越受到研究人员的关注。
卤化铯钙钛矿(CsPbX3,X = Cl,Br,I)由于具有可调节的带隙、宽的吸收带、窄的发射带、高耐受性和高的光致发光量子产率而备受关注,是下一代用于光电设备的潜在材料1,2.然而,油酸OA 与油胺OLA 是合成传统CsPbX3 纳米晶(NCs)不可缺少的封端材料,但它们与晶体表面结合作用较弱,致使纳米晶易分解,对环境因素很敏感.
目前,金属卤族钙钛矿半导体材料既可作为吸光层在广泛应用与太阳能电池、光探测器和光闪烁器中,亦作为发光层应用于在光二极管、显示器和激光器等器件中。因此,对该类钙钛矿半导体材料的本征特性的研究亟待关注。