微波功率管在老化试验中失效机理分析

来源 :第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:quake
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本文针对微波功率管在老化试验中出现的失效现象进行分析,对于改进微波功率管的设计和工艺,提高器件的可靠性具有一定意义.
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提出并分析和设计了一种Si基凹透镜载流子注入结构全内反射2×2光波导开关以及由这种2×2单元结构组成的高性能4×4光开关阵列.分别对该2×2结构光波导开关单元及其4×4结构光波导开关阵列的串音、反射损耗和消光比等进行了理论分析和模拟计算.计算得到:(1)对2×2光波导开关单元器件,其串音、反射损耗和消光比分别为-24dB、0.12dB和22dB;(2)对4×4光开关阵列,其总的串音、反射损耗和消光
理论分析和设计了一种用于850nm和1550nm两个光通信窗口的、集波长信号分离和光开关功能于一体的智能集成分波光开关,并将弧形结构全内反射面用于该集成结构中,基于Si基半导体SiGe合金材料的等离子体色散效应,对该结构智能集成分波光开关的串音、损耗、消光比等特性进行了分析和模拟计算.计算得到,作为光开关时器件的平均串音、插入损耗和消光比分别为-19dB、1.3dB和21dB,作为分波器时平均串音
本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硼的脱除方法.通过对电压、进水电导率(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳脱硼条件.EDI进水硼浓度为50ìg/L,最佳出水中硼含量为<1ìg/L.满足了大规模集成电路用水中硼的要求(对于兆位电路,硼要求<1ìg/L).