【摘 要】
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对添加Ti(Be上PVD镀层)/Cu(CuCrZr上PVD镀层)中间层的Be与CuCrZr进行了热等静压扩散连接。为获得好的连接效果,试验采用酸洗、研磨等方法对Be样品进行了表面处理。HIP后采用S
【机 构】
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中国工程物理研究院,四川 绵阳 621900
【出 处】
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中国工程院化工·冶金与材料工程学部第六届学术会议
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对添加Ti(Be上PVD镀层)/Cu(CuCrZr上PVD镀层)中间层的Be与CuCrZr进行了热等静压扩散连接。为获得好的连接效果,试验采用酸洗、研磨等方法对Be样品进行了表面处理。HIP后采用SEM、EDS、XRD,剪切试验等手段确定了界面的性能与组织特征。试验结果表明:由于Be表面镀层前采用酸液蚀刻有去除表面氧化膜的作用,在580℃/145MPa/2h工艺条件下HIP连接件获得的剪切强度达到123MPa,且界面无裂纹等缺陷。扩散保温时间从2h延长至4h后,接头性能有一定下降。Ti镀层(～10μm)在Be与Cu之间发挥了较好的扩散壁垒作用,有效阻止了Be与Cu的直接扩散反应。界面上有CuTi脆性相生成,影响连接强度的进一步提高。
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