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通过电子辐照在功率VDMOS器件中引入少子复合中心,从而有效缩短功率VDMOS器件中的少子寿命,改善开关特性。本论文对8N60、13N60等2个型号的功率VDMOS样品进行了电子辐照以及辐照后的退火处理,实验证明电子辐照对提升功率VDMOS器件的开关速度是有效的。
通过电子辐照改善功率VDMOS开关特性的研究
【摘 要】
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通过电子辐照在功率VDMOS器件中引入少子复合中心,从而有效缩短功率VDMOS器件中的少子寿命,改善开关特性。本论文对8N60、13N60等2个型号的功率VDMOS样品进行了电子辐照以及
【机 构】
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扬州国宇电子有限公司
【出 处】
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2014 电力电子与航天技术高峰论坛
【发表日期】
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2014年期
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