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以高纯(6N)Cd、Si、P单质为原料，采用双温区气相输运和改进的垂直布里奇曼法合成出高纯单相的CdSiP2多晶料和尺寸达Ф17×102mm的单晶体。对生长的单晶体进行切割抛光得到CdSiP2晶片，分别置于真空、镉气氛、磷气氛和同成分粉末包裹条件下进行退火实验。
CdSiP2单晶退火研究
【摘 要】
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以高纯(6N)Cd、Si、P单质为原料，采用双温区气相输运和改进的垂直布里奇曼法合成出高纯单相的CdSiP2多晶料和尺寸达Ф17×102mm的单晶体。对生长的单晶体进行切割抛光得到
【机 构】
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四川大学材料学院
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2015年期
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