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中子发生器主要由离子源，加速系统和靶等组成。当离子束轰击靶产生中子的同时，在靶面也产生二次电子，形成二次电子流，导致电源负荷加重，从而影响中子参数，因此在中子发生器中需要采取各种方法抑制二次电子流.本文简单讨论了中子发生器中二次电子流的产生机制，并讨论了几种抑制方法。模拟计算表明，在法拉第圆筒的基础上加上电场或磁场抑制，特别是电场抑制能很好地抑制二次电子流.