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用低温Ar<+>束溅射沉积生长了ZnS介质薄膜；用低温变磁场Hall测量技术研究了Zns薄膜的沉积生长对n-HgCdTe Hall器件中HgCdTe表面、体内载流子的分布、迁移率的影响。实验证明，利用该文Ar<+>束溅射沉积技术在n-HgCdTeHall器件表面进行的ZnS介质膜生长不会引起HgCdTe的晶格损伤，且ZnS与器件界面的固定电荷呈正电荷，不会降低n-HgCdTe光导型红外探测器器件的最终性能指标。