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初步研究了ZnS∶Mn薄膜ACEL光谱的干涉畸变,理论与实验基本相符。所得结论:对ZnS∶Mn薄膜发光器件,由于干涉畸变效应,实际测量结果会出现一些伪峰,伪峰参数因器件参数和接收角不同而异。因此,在薄膜发光研究中,干涉畸变是一个必须认真考虑的问题,以免将干涉畸变引起的伪峰当作本征光谱峰。干涉畸变是薄膜发光中的基本物理现象。对于稀土掺杂的薄膜发光,由于谱线较窄,不像ZnS∶Mn薄膜发光谱那样容易直接观察到干涉畸变效应。但干涉畸变将引起各条谱线相对强度的“畸变”。PBMR方法能有效地消除多光束干涉的影响,可获得“无”畸变的薄膜吸收光谱。(韩理洁摘)