【摘 要】
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近年来,光子晶体中自发辐射抑制现象得到了广泛的研究,然后,通过自发辐射抑制来对上转换白光进行调制的探索还寥寥无几。我们制备了PMMA/NaYF4∶Yb3+,Er3+,Tm3+三重掺杂
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,吉林 长春,130012
【出 处】
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第五届全国掺杂纳米发光性质学术会议
论文部分内容阅读
近年来,光子晶体中自发辐射抑制现象得到了广泛的研究,然后,通过自发辐射抑制来对上转换白光进行调制的探索还寥寥无几。我们制备了PMMA/NaYF4∶Yb3+,Er3+,Tm3+三重掺杂的复合光子晶体材料,并且实现了对上转换白光发射的调控。我们发现带隙位于550nm 的光子晶体具有最优的白光发射。然后,进一步进行了变角度测试,随着角度由0°变化到60°,光子晶体的带隙发生蓝移,当带隙位置移动到远离发射光位置时,光子晶体对发射光的抑制作用消失。通过角度的改变,分别对不同位置的发射光产生抑制作用,实现了对白光发射的调控。同样,通过改变激发光的功率密度使分配到不同激发能级的光子数发生变化,实现对白光的调制。最后,通过光子晶体与参考样品Ln-Ln 图的对比,我们发现,复合光子晶体结构对热效应有一定的抑制。综上所述,PMMA/NaYF4∶Yb3+,Er3+,Tm3+复合光子晶体材料可以仅通过改变光子晶体的带隙位置,发射光的角度以及激发光功率的变化进行调控。
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