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热氧化钝化工艺是降低表面复合、提高太阳电池电性能的重要手段.本文采用链式氧化工艺,在经过制绒、扩散、刻蚀、清洗后P 型单晶硅片表面热生长一层薄SiO2膜,达到降低表面态、提高少子扩散长度的目的.基于LBIC 技术,通过对各组太阳电池性能参数的测试与分析,结果表明：链式氧化制备薄SiO2 膜与SiNx 叠层膜太阳电池在少子扩散长度、光生电流、内量子效率方面均优于单层SiNx 膜太阳电池；IV 特性方面,链式氧化叠层膜太阳电池效率达到18.3％,明显高于单层SiNx 膜电池17.59％,开路电压、短路电流密度分别高出12.1mV、0.88 mA/cm2.链式氧化叠层膜系统对太阳电池表面有更好的钝化效果,是取代管式氧化的重要选择之一.