【摘 要】
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本文提出了一种集电极双掺杂(CDD,Collector Double Doped)超结IGBT,在器件开启的时候,重掺杂为PIII的区域可以提供一个合理的开态电压,轻掺杂为PII的区域可以加速器件关断,
【机 构】
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北京大学深圳研究生院信息工程学院集成系统科学工程与应用重点实验室,深圳 518055
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本文提出了一种集电极双掺杂(CDD,Collector Double Doped)超结IGBT,在器件开启的时候,重掺杂为PIII的区域可以提供一个合理的开态电压,轻掺杂为PII的区域可以加速器件关断,减小关断损耗.2D器件的开态、关断特性和击穿电压模拟结果表明,与普通超结IGBT相比,CDD超结IGBT击穿电压从204V增加到329V,有月61.27％提高;同时,关断时间从335ns减小到170ns,减小了49.3％.CDD超结IGBT相比普通超结IGBT相比,集电极-发射极饱和压降Vce(sat)与关断时间(toff)之间的矛盾有所改善,并且更有效抑制拖尾电流.
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