GaAs/AlGaAs光学相控阵的优化分析

来源 :第十届全国激光技术与光电子学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：clare228

【摘要】

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　　对p-i-n 结构的GaAs/AlGaAs 光学相控阵进行了仿真和实验的对比分析.主要利用新型光子设计仿真软件的优化算法,进行了电学特性和光学特性的模拟.本文的器件结构下,波导芯

【作者】

：

孙艳玲陈敬业聂光

【机构】

：

西安电子科技大学,陕西西安710071

【出处】

：

第十届全国激光技术与光电子学学术会议

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

AlGaAs 光学相控阵设计仿真软件反向偏置电压优化算法输出特性器件结构内建电场

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　　对p-i-n 结构的GaAs/AlGaAs 光学相控阵进行了仿真和实验的对比分析.主要利用新型光子设计仿真软件的优化算法,进行了电学特性和光学特性的模拟.本文的器件结构下,波导芯层存在的内建电场为2.53×106V/m,研究了其对总电场分布和光束输出特性的影响.进一步计算得到10 V 外加反向偏置电压下,光传输长度为2416 μm 可产生2π相移.

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