微量氨组分对等离子体合成碳纳米管的影响

来源 :中国物理学会第十五届静电学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hm00562000
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实验研究了不同氨气比例条件下碳纳米管的生长情况,利用介质阻挡放电(DBD)等离子体化学气相沉积技术,在蒸镀有13 nm Ni催化剂层的Si基材上,以CH4为碳源,以H2与NH3为刻蚀和稀释气体,在630℃和750℃的不同温度条件下合成碳纳米管.经SEM和TEM测试发现,所合成的碳纳米管具有竹节型结构,Ni催化剂形貌表明碳纳米管生长符合顶端机制.氨气含量对碳纳米管的生长影响较大,合成碳纳米管的最佳氨气浓度区间为1%~3%,高于8%则基本没有碳管生成,原因是含N基团的刻蚀速率远大于碳管的生成速率.
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