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本文采用数值模拟的方法对4H-SiC 浮结肖特基势垒二极管的静态及动态特性进行了研究。该器件可以在保证高的反向耐压的同时使正向导通电阻最小化,较好的解决了常规器件正向导通电阻和反向耐压间的矛盾。模拟结果表明,相同条件下增加浮结使得击穿电压由2800V 增加到4000V。反向恢复特性表明器件具有软恢复特性,软度因子为0.949。