Current-voltage characteristic analysis for a cathodic plasma contactor

来源 :第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:haiminglu
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  The analysis here predicts the net electron emission current as a function of bias voltage for a plasma source that is being used as the cathodic element in a bare electrodynamic tether system.A spherical, steady-state model that considers the collisionless plasma plume expansion process on the operation of electron-emission is developed.
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对标准CT试样的二维和三维应力强度因子有限元解进行了对比分析,并基于三维有限元解建立了一种新的标准CT试样的应力强度因子计算公式。得到结论如下:目前广泛采用的应力强度因子计算公式与实际三维CT试样的应力强度因子分布具有很大的差异;在加载孔等效分布力一定的条件下,CT试样裂纹前沿大部分区域的应力强度因子与中心点的应力强度因子相近,并且与厚度无关;拟合得到的三维CT试样裂纹前沿中心点的应力强度因子的计
引言大气压放电等离子体磁流体动力学(MHD)在能量旁路与流动控制等方面具有潜在的应用价值,尤其在超燃发动机方面有望获得实际应用,所以目前正受到越来越大的关注,成为一个非常热门的研究领域.
会议
基于电磁塑性区和电磁饱和的物理特性以及条带电磁极化饱和(EMPS)模型,推导了半可穿透边界条件下条带电磁极化饱和(EMPS)模型的非线性解析解。首先根据Stroh公式和广义位错理论,得到由广义位错表示的裂纹尖端附近的应力场和位移场,通过求解积分方程的方法,最终求得由裂纹腔内电位移和磁感应强度表示的电塑性区和磁塑性区、广义强度因子以及局部J积分的表达式。
引言氩氢等离子体在等离子体喷涂、切割、焊接等材料加工领域有着广泛的应用.开展相应的过程数值模拟,可以预测电弧和射流的传热流动过程,增加对相关物理过程的认识和理解.而获得覆盖较宽温度和压力范围的氩氢等离子体热力学和输运气体性质是开展上述数值模拟的前提条件.本文开展了不同压力条件下双温度氩氢等离子体性质计算,为进一步的数值计算奠定基础.
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引言近年来,我国本土的半导体设备制造商成长迅速,但由于起步较晚,仍然与世界发达国家存在较大差距.针对半导体制造工艺中的等离子体过程进行仿真,可以为半导体设备(如等离子体刻蚀机及PECVD装置)的参数优化设计提供技术支撑,且具有研发时间短、成本低等优点.因此,鉴于低温等离子体放电技术的特殊性及其在IC领域所发挥的重要作用,开发一整套有特定针对性的仿真软件是非常重要且必要的.
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CVD沉积金刚石膜是一种具有优异的光学、热学、机械性能及化学惰性的功能材料,能够满足众多领域的应用要求.在采用MPCVD沉积金刚石中等离子体中基团种类、分布及作用机理对薄膜质量的影响至关重要.发射光谱法作为一种便捷、高效、无干扰的等离子体诊断方法,适合用于等离子体的在线诊断分析.
会议
引言磁控放电技术广泛地应用于薄膜沉积领域中,其一般施加几百高斯的磁场约束电子进而提高等离子体密度.传统的直流磁控等离子体因只能溅射金属靶材在许多领域中受到限制,射频磁控放电技术则有效地改善了这一弊端.近些年来,随着薄膜材料日新月异地发展以及半导体材料薄膜的大量需求,反应性气体如O2,C12等作为工艺气体得到了广泛地关注.因此,针对射频磁控Ar/O2混合等离子体的模拟工作显得尤其必要.
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在冶金工业中,钢铁表面处理是一道必须工艺.钢铁刚出炉时,表面会紧紧依附着一薄氧化层.通常将钢铁表面氧化层除去的工艺称为除鳞.目前工业中主要使用的除鳞工艺有机械除鳞(喷丸、磨料、高压水等)和酸洗两种方法.前者是利用动能的机械方法,而酸洗是化学方法.这些方法除了除鳞不干净或耗时长外,带来最大的问题就是环境的二次污染,包括化学污染、尘埃和噪声等.
会议
本文采用微波辅助溶液燃烧法制备了LaMn0.gFe0.1O3 (LMF)钙钛矿型催化剂并研究了该催化剂的NOx存储还原性能[1].与Pt/gaO/Al2O3 (PBA)催化剂相比,LMF催化剂在较低的温度下(<300 ℃)具有较高的NOx存储量,但其在贫燃-富燃循环气氛中的NOx脱除活性却明显低于前者[2],进一步研究表明在LMF催化剂上,存储的NOx的还原再生是反应的速率控制步骤.通过在富燃阶段
会议
感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasmas,ICP)是一种重要的低温等离子体源,被广泛应用于微电子工业,分析化学,等离子体推进等领域.ICP装置一般气压较低(1-100mTorr),此时电子平均自由程可以和装置尺寸相当,电子将显示出很强的非热平衡非局域效应,会出现无碰撞加热、反常趋肤效应和负功率吸收等一系列重要物理现象,这些现象产生的物理机制并没有完全被认识清楚.流体
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