【摘 要】
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本文主要利用模拟软件对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)形成过程中施主表面态的影响进行研究,主要分析施主表面态电离过程及表面态能级位置、表面态密度的影响。模拟显示施主表面态为2DEG中电子来源,A1GaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变影响AlGaN能带结构及2DEG密度。
【机 构】
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School of Physics and technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文主要利用模拟软件对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)形成过程中施主表面态的影响进行研究,主要分析施主表面态电离过程及表面态能级位置、表面态密度的影响。模拟显示施主表面态为2DEG中电子来源,A1GaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变影响AlGaN能带结构及2DEG密度。
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