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<正>蓝宝石单晶在现代国防科技与民用领域有着重要价值,广泛应用于LED衬底材料和现代新型窗口材料1,2,但是蓝宝石单晶材料在常温下为脆性材料3,晶体存在常温力学性能不稳定的缺点。本文采用导模法技术生长了蓝宝石单晶衬底及窗口材料,研究了导模法蓝宝石单晶内部位错缺陷特征与其常温压缩强度的关联,主要探讨了位错密度与位错结构对蓝宝石单晶力学性能的影响与机理。