【摘 要】
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电子激励脱附(ESD)效应是影响超高/极高真空测量下限延伸的重要因素之一,本文分析了电离规栅极表面气体吸附- 脱附机理,并通过实验和理论模拟的方法对电离规ESD 效应进行
【机 构】
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兰州空间技术物理研究所,甘肃兰州,730000
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电子激励脱附(ESD)效应是影响超高/极高真空测量下限延伸的重要因素之一,本文分析了电离规栅极表面气体吸附- 脱附机理,并通过实验和理论模拟的方法对电离规ESD 效应进行了研究,讨论了不同规管及模型的气相离子与ESD 离子收集比率.数值模拟结果说明了能量分析器分离ESD 离子的微观机理,计算结果表明,对于贝塞尔盒能量分析器规(ATG)而言,穿过分析器后的ESD 离子和气相离子能量差达到45eV,与实验获得的41eV 一致性较好.同时,基于ATG构建了两种碳纳米管阴极电离规模型,模拟优化后的抑制电极能够将栅极电压降低到160V,而气相离子最大收集率4％所对应能量分析器电压为95V,穿过能量分析器筒后的两种离子能量差可达43eV.以上研究结果将为新型碳纳米管阴极电离规的ESD 效应抑制奠定重要理论和实验基础.
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