【摘 要】
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本文将MgF2超薄层引入有机电致发光器件的空穴传输层NPB之中,制备了结构为ITO/NPB(10nm)/MgF2(xnm)/NPB(20nm)/Alq3(30nm)/Al(30nm)的一系列有机电致发光器件.测试结果表
【机 构】
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太原理工大学理学院物理系,山西太原030024太原理工大学教育部新材料界面与工程重点实验室,山西太原030024
【出 处】
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第六届全国暨华人有机分子和聚合物发光与激光学术会议
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本文将MgF2超薄层引入有机电致发光器件的空穴传输层NPB之中,制备了结构为ITO/NPB(10nm)/MgF2(xnm)/NPB(20nm)/Alq3(30nm)/Al(30nm)的一系列有机电致发光器件.测试结果表明：合适厚度的MgF2可有效降低器件启亮电压,提高器件的发光效率.本文中MgF2厚度为0.5nm的器件启亮电压只有2.3V,较未穿插MgF2器件降低2V； MgF2厚度1.0hm的器件最大电流效率达到2.91cd/A,最大光功率效率达到1.77 lm/W,较未穿插MgF2器件分别提高了43％和173％.分别是未穿插MgF2器件的1.43倍和2.73倍.
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